光熱測量系統可用于高溫過程的優化

光熱測量系統

光熱測量系統有兩種型號

TOMMIplus(氧化氣氛) 和 TOM-AC(可控氣氛– 真空、惰性氣體、氫氣)

–研究加熱過程，兩種設備溫度分別可達2350°C/1750°C
–實時動態測量燒結過程中收縮和翹曲
–測量材料高溫狀態下蠕變、失重、潤濕和粘結性能

TOMMIplus

–通過光熱測量獲得材料在高溫條件下的精確數據

陶瓷……
……陶瓷原料和金屬粉末具有高溫燒結后致密堅硬的特性。高溫燒結是決定產品質量的重要工藝步驟，對于生產成本的高低起到了關鍵的作用。獲取材料在高溫燒結狀態下的收縮狀態，并據此制定和改善燒成制度成為重要內容。

我們的任務
–無機械影響前提下對樣品進行測量，獲取樣品的燒結收縮數據。
–記錄規則或不規則形狀樣品燒結過程中變形和粘連情況。
–在精確恒定負載或周期負載下測量材料高溫蠕變特性。

玻璃……
……在高溫熔融后低粘度下成型。從原料到熔融過程中，需要大量的熱物理數據來確保熱過程的精確設計。在玻璃軟化熔融條件下測量玻璃的熱物理特性尤其困難。

我們的任務
–確定玻璃從低溫到熔融溫度（即軟化溫度范圍）內的膨脹系數
–監測玻璃高溫熔融反應和與模具的潤濕性能

光熱測量系統

我們的解決方案: TOMMI plus

作為非常成功的TOMMI系統的繼承者，TOMMI plus性能更好，更具靈活性。它將高溫爐與光學膨脹儀結合在一起。樣品通過光照獲得一個2維輪廓，由一個CMOS攝像頭記錄。特制的光學系統可提供無失真的圖像– 即使是樣品在熱處理過程中有輕微的移動（例如，由于熱膨脹）。樣品的尺寸變化由專用的圖像分析軟件記錄；樣品可以是任何形狀，只要其整個輪廓在測量視窗之內即可。測量每秒鐘進行一次，以便于記錄快速的變化。此外，可以通過檢查潤濕角和滲透動力學數據來研究融化和蠕變現象。

TOMMI plus 由一臺標準的PC控制，并通過清晰、舒適的圖形用戶界面進行操作。除了尺寸變化數據外，還可以獲得加熱過程中的每張圖像以及合成視頻。TOMMI plus 的分辨率約為0.4 微米，且具有極高的可重復性。可配備不同負荷的加載以及實時測量樣品失重的天平。

TOMMI plus的技術數據

氧化氣氛下高溫光學測量系統
高 x 寬 x 長: 1700 x 700 x 1600 毫米
最高溫度: 1750 ºC 或 1200 °C
(適用于玻璃的GLASS-TOM)
測量視窗直徑: 從3毫米到60毫米可調
分辨率: 0.4 微米

安全的陶瓷生產-燒結過程

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TOM-AC

– 高溫條件下獲得材料精確數據以優化熱過程

燒結和其他熱處理的質量
熱處理需要精確的控制溫度條件以產生最佳的結果。陶瓷原料和金屬粉末具有高溫燒結后致密堅硬的特性。這個過程決定了最終產品的質量– 并會在很大程度上影響生產成本。燒結收縮是燒結過程最重要的參數，實時準確獲取高溫下材料的燒結參數, 可以優化工藝參數, 提高質量, 降低生產成本。注射成型加熱過程中除去粘結劑出現的失重和尺寸變化, 可以通過光學方法實時測量其滲透過程。

TOM-AC

我們的任務
– 無機械影響前提下對樣品進行測量，獲取樣品的燒結收縮數據
– 記錄規則或不規則形狀樣品燒結過程中變形情況。
– 樣品在真空、惰性或還原氣氛中燒結
– 測量樣品在可控氣氛下的失重
– 與固體基材的潤濕性
– 原位監測滲透過程

我們的解決方案: TOM-AC可控氣氛高溫爐和熱膨儀

TOM-AC是一個高溫(2000 ºC)、高溫石墨爐(2400 °C) 或全金屬鉬爐 (1650 °C) 與光學測量系統的結合體。樣品通過光照獲得一個2維輪廓，由一個CMOS攝像頭記錄。特制的光學系統可提供無失真的圖像– 即使是樣品在熱處理過程中有輕微的移動（例如，由于熱膨脹）。

特殊的圖像分析軟件

樣品的尺寸變化由專用的圖像分析軟件記錄；樣品可以是任何形狀，只要其整個輪廓在測量視窗（直徑50毫米）之內即可。如果樣品是旋轉對稱的，可以計算出體積。

每秒進行一次測量
測量每秒進行一次, 以記錄快速的變化。此外，還可以通過潤濕角和滲透動力學來研究熔化和潤濕現象。

使用方便

TOM-AC 由一臺標準的PC控制，并通過清晰、舒適的圖形用戶界面進行操作。除了尺寸變化數據以ASCII編碼儲存外，還可以獲得加熱過程中的每張圖像和合成視頻。TOM-AC 的分辨率約為2微米，并具
極高的可重復性。

益處	二維輪廓記錄	圖像處理軟件	氣氛控制
非接觸式光學測量模式 – 對樣品沒有機械性影響 – 沒有可移動的機械部件	– 測量各向異性燒結過程和變形 – 監測潤濕、熔融和滲透現象 – 可同時記錄多達20個參數	– 測量窗內位移的自動補償 – 通過照明控制來優化圖像對比度 – 測量以秒計算, 可記錄尺寸的快速變化 – 高重復性	– 自動控制調節氣閥 – 電腦控制氣體混合(Ar, N2, H2, CO) –可實現高真空條件