刻蝕（Etch）是半導(dǎo)體制造、微電子IC制造以及微納制造工藝中的一個重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝。刻蝕狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式進(jìn)行腐蝕，處理掉所需除去的部分。廣義上來講，刻蝕是通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。
濕法刻蝕是使用特定的溶液與需要被刻蝕的薄膜材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，選擇性地刻蝕掉該薄膜層上未被掩蔽的部分。
三個基本步驟： 腐蝕，清洗，干燥干法刻蝕一般指等離子表面刻蝕（Plasma Surface Etching），材料表面通過反應(yīng)氣體等離子被選擇性地刻蝕，被刻蝕的材料轉(zhuǎn)化為氣相并被真空泵排出，處理后的材料微觀比表面積增加并具良好親水性。
| 濕法刻蝕 | 干法刻蝕 | |
| 刻蝕圖形 | 不大于3μm | 亞微米級 |
| 刻蝕剖面 | 各向同性，易側(cè)向鉆蝕 | 各向異性、各向同性 |
| 刻蝕速率 | 快 | 可控 |
| 選擇性 | 高 | 可控 |
| 均勻性 | 放熱放氣，腐蝕不均勻 | 片內(nèi)、片間、批次間的刻蝕均勻 |
| 產(chǎn)量 | 量大（批量） | 可控 |
| 藥劑使用量 | 大量 | 少量 |
| 后續(xù)工藝 | 干燥 | 無 |
濕法刻蝕廣泛應(yīng)用于將多晶硅、氧化物、氮化物、金屬與Ⅲ-V族化合物等作整片（即覆蓋整個晶片表面）的腐蝕，攪動、腐蝕液的溫度都會影響腐蝕速率。IC工藝中，大多數(shù)WCE是將晶片浸入化學(xué)溶液中，或是噴射腐蝕液在晶片表面濕法刻蝕局限于3µm以上的圖形尺寸，各向同性刻蝕導(dǎo)致邊側(cè)形成斜坡，要求沖洗和干燥步驟，存在潛在的試劑污染，光刻膠粘結(jié)力失效導(dǎo)致底切，因此各種先進(jìn)電路的小尺寸精細(xì)刻蝕只能用干法刻蝕來實現(xiàn)。
等離子體刻蝕系統(tǒng)已由應(yīng)用于簡單的、整批的光刻膠剝蝕快速發(fā)展到大的單片晶片加工。刻蝕系統(tǒng)為符合深亞微米器件的圖案轉(zhuǎn)移，從傳統(tǒng)的反應(yīng)離子刻蝕持續(xù)改進(jìn)到高密度等離子體刻蝕。
等離子刻蝕可以通過調(diào)整大量的工藝參數(shù)來將刻蝕速率、選擇比、輪廓控制、臨界尺寸、工藝導(dǎo)致?lián)p傷等最佳化。
在微電子制造工藝中，光刻圖形必須最終轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成器件的各薄膜層上，這種圖形的轉(zhuǎn)移是采用刻蝕工藝完成的。但是濕法刻蝕的寬度局限于3μm以上，因此要實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中的微細(xì)圖形高保真地從光刻模板轉(zhuǎn)移到硅片上不可替代的工藝只能采用等離子刻蝕。
在等離子體刻蝕工藝中，首先是在把硅晶片上面涂抹一層光敏物質(zhì)，并在光敏物質(zhì)上蓋上具有一定圖形的金屬模板。然后進(jìn)行紫外曝光，使部分晶片的表面裸露出來，接著再把這種待加工的硅晶片放置到具有化學(xué)活性的低溫等離子體中，進(jìn)行等離子體刻蝕。這種具有化學(xué)活性的等離子體一般采用氯氣或碳氟氣體電離產(chǎn)生，含有電子和離子和其他活性自由基（如•Cl、•Cl2、•F、•CF等）。這些活性基團(tuán)沉積到裸露的硅晶片上時，與硅原子反應(yīng)生成揮發(fā)性的氯化硅或氟化硅分子，從而對晶片進(jìn)行各向異性刻蝕。另一方面，為了控制轟擊到晶片上離子的能量分布和角度分布，還通常將晶片放置在一個施加射頻或脈沖偏壓的電極上面，在晶片的上方將形成一個非電中性的等離子體區(qū)，即鞘層-等離子體中的離子在鞘層電場的作用下，轟擊到裸露的晶片表面上，并與表面層的硅原子進(jìn)行碰撞，使其濺射出來，從而實現(xiàn)對晶片的各向異性刻蝕。
目前在一些發(fā)達(dá)國家的實驗室里，刻蝕線寬已經(jīng)突破0.1μm，并開始考慮挑戰(zhàn)納米芯片的加工技術(shù)。
兩個大小和位置對稱的平行金屬板作為等離子發(fā)生的電極，平板放置于接地的陰極上面，RF信號加在反應(yīng)器的上電極。由于等離子體電勢總是高于地電勢，因而是一種帶能離子進(jìn)行轟擊的等離子體刻蝕模式，進(jìn)行各向異性刻蝕，可得幾乎垂直的側(cè)邊。另外，旋轉(zhuǎn)晶圓盤可增加刻蝕的均勻性。該系統(tǒng)可設(shè)計成批量和單個晶圓反應(yīng)室，可對刻蝕參數(shù)精密控制，以得到均勻刻蝕。
刻蝕技術(shù)是電子信息領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)薄膜的微圖形化的關(guān)鍵技術(shù)之一。為了提高芯片的集成度，要求鐵電薄膜的圖形線寬在微米或亞微米量級，目前多采用高密度等離子體刻蝕方法，刻蝕后能夠形成很好的刻蝕剖面，且具有較高的刻蝕速度。
等離子對纖維材料的轟擊作用不但可以顯示出纖維表層和內(nèi)部的結(jié)構(gòu)特征，而且可以滲入使表層分子活化，使纖維得以改性。如吸濕性較差的化學(xué)纖維，經(jīng)過等離子刻蝕處理，吸濕性變得優(yōu)良。羊毛纖維的差微摩擦效應(yīng)易于引起織物的氈縮，刻蝕處理后，防粘縮性提高；某些纖維原成紗性較差，刻蝕改性后，其可紡性和紗線強力提高。
